尖端材料制造商通過創(chuàng)新工藝實現(xiàn)低α氧化鋁的量產(chǎn)突破。部分企業(yè)采用氣相沉積法精控材料純度,另一些則開發(fā)了高溫熔融技術(shù)優(yōu)化顆粒形貌。這些工藝創(chuàng)新在確保材料低放射性的同時,實現(xiàn)了晶體結(jié)構(gòu)的精密調(diào)控,為后續(xù)應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。
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納米類球單晶α氧化鋁DCA-500NL電鏡圖?
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當(dāng)前,這類創(chuàng)新型氧化鋁材料已在高階存儲芯片封裝中開展應(yīng)用驗證。其融合低放射性、高導(dǎo)熱與結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的綜合特性,為半導(dǎo)體封裝材料進化提供了新的技術(shù)路徑。
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? 備注:內(nèi)容素材來自熱管理實驗室
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